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业界首款基于硅技术的大功率2GHz80211bgnWLAN功率放大器SiGe万芳

发布时间:2020-02-14 12:39:05 阅读: 来源:新风系统厂家

业界首款基于硅技术的大功率2GHz 802.11bgn WLAN 功率放大器(SiGe)

大功率 WLAN 连接性面对的挑战是 RF PA。当 PA 在较高 RF 功率级下工作一段时间后,PA 本身的温度往往会升高。随着 PA 温度的上升,它保持所需 RF 功率级的能力便会下降,这又促使 PA 控制环路提高 RF 功率,从而导致 PA 工作温度进一步上升。PA 温度上升除了会降低 RF 功率之外,还会减低线性度性能,最终破坏传输数据,并在 WiFi 频率信道附近产生干扰。

SE2576L 采用硅锗工艺制造,该技术与标准硅工艺基本相同,热导性却是砷化镓 (GaAs) 器件的三倍。SE2576L 集成了输入匹配电路和外部输出匹配电路,可以针对5V、26dBm 的工作条件调节负载线,从而帮助 SiGe 半导体的客户简化设计、加快上市速度,并提高产品良率。

SE2576L内置有采用温度补偿的对负载不敏感的功率检测器,动态范围为20dB,在天线端3:1失配条件下,变化小于1.2dB。SE2576L综合了功率检测器功能和硅锗技术固有散热优势,可在极端温度下保持稳定的性能,适合需要特别注意自身变热问题的大功率应用。新型WLAN PA还带有数字激活控制功能,并集成了一个参考电压发生器,其典型功率斜坡上升/下降时间为0.5 μs。

SE2576L 的占位面积和应用板设计与 SiGe 半导体 2GHz 大功率 WLAN PA 系列中的其它器件相同,使得终端用户可以共享通用电路板设计,并为每款产品选择最佳的 PA。

SE2576L采用符合RoHS指令的无卤素、小引脚、16脚3mm x 3mm x 0.9mm QFN封装。这种低侧高封装非常易于集成进WLAN模块中。

价格和供货

SiGe半导体现可提供SE2576L器件,订购1万片的价格为每片0.80美元。随同产品提供大量有关PA使用和实施的应用文档,包括如何利用电路板并通过版图设计来实现热分布最大化;如何设计包含SiGe半导体所有尺寸兼容2GHz大功率PA系列产品的电路板,以及如何实现PA输出阻抗匹配以尽量提高SE2576L性能等的建议。

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